21 сентября 2004 Компания Samsung Electronics опубликовала три пресс-релиза, посвященных выпуску полупроводниковых устройств различных типов: 2 Гбит DDR2 SDRAM, 8 Гбит NAND-флэш и 667 МГц процессора для мобильных телефонов третьего поколения. Микросхемы DDR2 SDRAM предназначены для создания на них модулей, используемых в рабочих станциях новых поколений и системах, требующих интенсивной работы с памятью – решениях для видеоконференций, медицинских системах, системах для работы с трехмерной графикой и т.п. Основной отличительной особенностью микросхемы является архитектура 3D-транзисторов, RCAT и новая архитектура.

Выпуском этого компонента корейский производитель опроверг утверждение, что для компонент такой плотности требуется 65-нм или более современный техпроцесс. RCAT (recess channel array transistor) – технология, представленная Samsung в 2003 году, позволяет уменьшить площадь транзистора. По оценкам Gartner Dataquest, рыночная доля DDR2 увеличится к концу 2005 года с 11 до 50%, то есть, память нового поколения перейдет в разряд mainstream. Сама же Samsung предполагает, что поставки компонентов памяти нового поколения составит в сентябре 15 млн. микросхем, а к концу года доля DDR2 составит 32% от общего объема выпущенной DRAM. Серийное производство 2 Гбит DDR2 SDRAM, выполненных с использованием 80-нм техпроцесса, запланировано на вторую половину будущего года. 8 Гбит микросхемы NAND-флэш компании выполнены с использованием 60-нм техпроцесса и предназначены для использования таких системах хранения данных, как мобильные жесткие диски низкой емкости. Размер ячейки памяти в новых микросхемах сокращен по сравнению с размером ячейки 4 Гбит NAND-флэш, выполненных с использованием норм 70-нм техпроцесса, на 30%. Ключевая технологий, позволившая добиться такого сокращения размеров ячейки при одновременном увеличении плотности – 3D-транзисторы и специфическая технология выполнения изолирования затвора, снижающая интерференцию между ячейками. Кроме того, использования KrF литографии, стоимость бита в новых микросхемах снижена на 50%. 8 Гбит NAND-флэш позволяет создавать карты флэш-памяти емкостью до 16 Гб. По оценкам iSuppli, рынок флэш-памяти составлял в 2001 году 900 млн. долларов, в 2003 году – 4,2 млрд. долларов с ежегодным ростом примерно вдвое. Продажи NAND-флэш составят в этом году 7,2 млрд. долларов в этом году и 9,9 млрд. долларов в 2005 году, рынок NOR-флэш в сложных процентах увеличится с 6,7 млрд. долларов в 2001 до 7,6 млрд. долларов в 2005 году. Что касается собственно Samsung, то компания в 2004 году поставила более 10 млн. 2 Гбит микросхем NAND-флэш и начнет серийное производство 4 Гбит компонентов к первому кварталу 2005 года, к концу текущего года рыночная доля Samsung в секторе NAND-флэш составит около 65%. Что касается третьей анонсированной разработки, 667 МГц процессора для сотовых телефонов третьего поколения, то его краткие характеристики выглядят следующим образом: Ядро — ARM1020E Тактовая частота – 667 МГц при напряжении питания 1,35 В Тактовая частота шины – 133 МГц 6 конвейеров 64 Кб кэш Процессор для приложений может быть использован, разумеется, не только в сотовых телефонах, но и смартфонах или КПК и обеспечить воспроизведение видео в реальном масштабе времени, а также гарантировать поддержку устройствами различных мультимедийных сервисов. Использованные при разработке процессора технологии позволили реализовать в новинке возможности мобильных процессоров, включая сопроцессор для операций с плавающей точкой. Источник: